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元件参数资料
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参数目录39051
> BSC047N08NS3 G MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
型号:
BSC047N08NS3 G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSC047N08NS3 G PDF
标准包装
5,000
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4800pF @ 40V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000436372
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